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技術文章
Technical articles1、HD-175型活度計(ji)技術指標(biao)
l 測量核素:190個;
l 相對基本誤差:±2.2%;
l 長期穩定性:±0.12%;
l 分辨率:1KBq(0.03μCi);
l 重復性:±0.12%;
l 量程:3.7KBq—370GBq;
l 低能探(tan)測限:13KeV;
l 測量時間:1-13s,可連(lian)續測量。
2、高壓電離室結構(gou)特點
l 電離室坪斜:0.008%;
l 噪(zao)聲電流:±2×10-14 A;
l 噪聲本底(di)(60Co):1KBq。
3、單片機配置(zhi)型(xing)
l 單片(pian)機、液晶屏(ping)、12位A/D;
l 232口與(yu)Pc機(ji)通(tong)訊、寬行高速(su)微打;
l 核素活度、遞衰(shuai)活度及半(ban)衰(shuai)期測量(liang);
l 監(jian)督源校正、時間換算和參數查(cha)詢;
l 自(zi)動(dong)換檔(dang)和扣除本(ben)底。
4、Pc機配置型
l Pc機、12位A/D;
l 核素活(huo)度(du)和遞衰活(huo)度(du)測(ce)量;
l 監督源校(xiao)正、時間換算和(he)參數查詢;
l 半衰期(qi)測量和(he)誤差計算;
l 最小二乘(cheng)法計算斜率、截距和標(biao)準偏差。
5、靈敏度和井(jing)深軸向(xiang)曲(qu)線